雷震霖
【姓名】 雷震霖
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;机械工业;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Si_(1-y)C_y合金,固相外延,超高真空化学气相淀积,X射线双晶衍射,GeSi,晶体质量,离子注入,UHV/CVD,SiGe/Si,Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料,生长,Si1-x-yG...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学[J]半导体学报.2000,(06)
[2]于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料[J]半导体学报.2000,(09)
[3]李代宗,于卓,雷震霖,成步文,余金中,王启明.Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善[J]材料研究学报.2000,(02)
[4]于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性[J]半导体学报.2001,(01)
[5]于卓,余金中,成步文,雷震霖,李代宗,王启明,梁骏吾.Si_(1-y)C_y合金的固相外延生长及其特性[J]发光学报.1999,(01)
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