孔令坤
【姓名】 孔令坤
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背接触,硅衬底,硅膜,MOS电容器,薄体,连续逻辑,势垒高度,SOI结构,混合集成,线性“与或”门,MOS晶体管,耗尽层,与或门,表面势,多元逻辑电路,自动控制系统,隔离区,电势,阵列,正界面,模糊量...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]夏永伟,孔令坤,张冬萱.硅衬底厚度和背接触势垒高度对MOS电容器性能的影响[J]半导体学报.1984,(03)
[2]王守武,夏永伟,孔令坤,张冬萱.SOI结构中的薄体效应[J]半导体学报.1985,(03)
[3]王守觉,夏永伟,孔令坤,李远镜,何乃明.一种无隔离区的DYL MOS混合集成新电路[J]电子学报.1986,(01)
[4]夏永伟,孔令坤,张冬萱,王守觉.基于连续逻辑的模糊自动控制系统[J]电子学报.1988,(01)
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