焦景华
【姓名】 焦景华
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;化学;物理学;
【研究方向】 磷化铟多晶和单晶的生产和科研
【发表文献关键词】 半绝缘,磷化铟,磷化铟(InP),退火,非掺,PL-Mapping,霍耳(Hall),液封直拉法(LEC),均匀性,原生,孪晶,半绝缘材料,固液界面,磷化,晶片,磷化铟单晶,晶向,高温退火,InAlA...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,曹慧梅,吕旭如.提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究[J]人工晶体学报.2003,(05)
[2]董宏伟,赵有文,焦景华,赵建群,林兰英.非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性[J]半导体学报.2002,(01)
[3]赵有文,董宏伟,焦景华,赵建群,林兰英,孙聂枫,孙同年.高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料(英文)[J]半导体学报.2002,(03)
[4]董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英.非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比[J]科学通报.2002,(23)
[5]叶式中;刘巽琅;柴喜云;焦景华;赵健群;曹惠梅;孙文荣;.掺Fe-InP单晶电阻率的估算和几个有关的问题[J]仪表材料.1984,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]焦景华;余辉;叶式中;.在锑化镓中掺入等电子杂质的研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[2]余辉;焦景华;叶式中;.掺碲GaSb单晶材料电学性质的研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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