姜凡
【姓名】 姜凡
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 ESD保护,部分耗尽,体接触,耗尽型,静电保护,体硅,静态存储器,绝缘体上硅,浮体效应,栅控二极管,二极管,集成电路,位线,SOI器件,线电路,CMOS模拟电路,SOINMOS,SOIMOSFET,K...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]姜凡,刘忠立.SOI集成电路的ESD保护技术研究进展[J]微电子学.2004,(05)
[2]姜凡,刘忠立.部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究[J]微电子学.2005,(03)
[3]尹雪松,姜凡,刘忠立.部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究[J]半导体技术.2005,(04)
[4]姜凡,尹雪松,刘忠立.一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型[J]微电子学.2005,(02)
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