黄振岗
【姓名】 黄振岗
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 体产生寿命,少数载流子,MOS结构,t曲线,新方法,反型,耗尽层宽度,产生率,MOS电容器,保护环,行积分,电荷变化,瞬态响应,耗尽近似,能带图,产生寿命,环电压,实验曲线,P型硅,电容值,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/1 0 0 0 16 24
中国期刊全文数据库    共找到1篇
[1]程文超,黄振岗.直接从MOS结构C-t曲线计算少数载流子体产生寿命的新方法[J]半导体学报.1980,(03)
更多