何彩霞
【姓名】 何彩霞
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电子束退火,离子注入机,浅结,电子束,靶体,样片,靶室,砷化镓,热退火,后加速,负高压,高浓度,GaAs,注入层,电子束加工,结深,n型,离子注入,成象条件,光栏,三层结构,二次电子,离子探针,辐射损...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]孙慧龄,王培大,李秀琼,唐革非,徐嘉东,何彩霞,中国科学院电工所电子束加工组.砷化镓注硫的电子束退火[J]微细加工技术.1983,(02)
[2]王培大,唐革非,徐嘉东,何彩霞.LC-1型离子注入机的改装[J]微细加工技术.1984,(04)
[3]李秀琼,孙慧龄,王培大,唐革非,徐嘉东,何彩霞.电子束掺杂的应用——高浓度浅结的形成[J]微细加工技术.1984,(04)
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