国红熙
【姓名】 国红熙
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 气态源分子束外延,GaInP,单量子肼,超晶格(量子阱),Ⅲ－Ⅴ族化合物,阴极荧光,多量子阱,光电流谱,光电压谱,外延,InAs,生长室,光致发光,双晶衍射,多量子,化学束外延,分子束流,晶格匹配,量...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]阎春辉;孙殿照;国红熙;朱世荣;黄运衡;李晓兵;曾一平;孔梅影;.金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs[J]高技术通讯.1992,(06)
[2]袁瑞霞，阎春辉，国红熙，李晓兵，朱世荣，李灵肖，曾一平，孔梅影.气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料[J]半导体学报.1994,(05)
[3]刘尧,肖绪瑞,李学萍,阎春辉,曾一平,孙殿照,郑海群,国红熙.晶格匹配型单量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半导体电极的光电化学行为[J]科学通报.1994,(16)
[4]袁瑞霞，阎春辉，国红熙，李晓兵，朱世荣，曾一平，李灵霄，孔梅影.气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料[J]半导体学报.1996,(01)
[5]孙殿照;孔梅影;韩汝水;朱世荣;阎春辉;国红熙;付首清;周增圻;张晓秋;黄运衡;谢琪;刘世闯;雷震林;张利强;余文斌;乔金梁;.国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果[J]半导体情报.1991,(06)
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