黎土生
【姓名】 黎土生
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 坩埚下降法生长,碘化,晶体,红外,结构相变,光学晶体,杂质对,技术研究所,铊,广州,单晶,立方相,晶体生长,透过率,中国科学院,相似物,固溶体晶体,下降速度,杂质,透光性能,窗口材料,离子性,透过曲线...
【工作单位】 中国科学院广州电子技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院广州电子技术研究所;
【所在地域】 广州
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[1]陈福泉,林樽达,周雄博,余炳和,郭运祥,翟励强,俞茂名,黎土生.新型红外光学晶体——掺杂立方碘化铊单晶[J]人工晶体.1986,(03)
[2]陈福泉,林樽达,周雄博,翟励强,郭运祥,黎土生,俞茂石.杂质对碘化铊结构相变的影响[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
[3]林樽达,翟励强,黎土生,郭运祥,俞茂名,周雄博,陈福泉.坩埚下降法生长TlSn_2l_5晶体[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
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