郭运祥
【姓名】 郭运祥
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 晶体,熔化法,温度分布,坩埚下降法生长,碘化,下降法,凝固法,红外,结构相变,光学晶体,熔体,杂质对,温度梯度,技术研究所,晶体生长,铊,固一液界面,广州,单晶,晶片,显微结构,立方相,透过率,晶体形...
【工作单位】 中国科学院广州电子技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院广州电子技术研究所;
【所在地域】 广州
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[1]陈福泉,林樽达,郭运祥.温度分布对下降法生长 KRS-5晶体的影响[J]人工晶体.1986,(02)
[2]陈福泉,林樽达,周雄博,余炳和,郭运祥,翟励强,俞茂名,黎土生.新型红外光学晶体——掺杂立方碘化铊单晶[J]人工晶体.1986,(03)
[3]陈福泉,林樽达,周雄博,翟励强,郭运祥,黎土生,俞茂石.杂质对碘化铊结构相变的影响[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
[4]林樽达,翟励强,黎土生,郭运祥,俞茂名,周雄博,陈福泉.坩埚下降法生长TlSn_2l_5晶体[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
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