范卫军
【姓名】 范卫军
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 交叉电场和磁场,超晶格,电场,GaAs,行磁场,带结构,应变超晶格,AIGaAs,轻空穴,电子结构,半导体超晶格,重空穴,价带,光跃迁,空穴能,空穴态,空穴,能级,子能带,赝势计算,跃迁概率,多量子阱...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]范卫军，夏建白.GaAs／Al_（0．4）Ga_（0．6）As多量子阱红外探测器光吸收计算[J]半导体学报.1994,(10)
[2]范卫军.平行磁场下半导体超晶格电子结构(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[3]范卫军,夏建白.交叉电场和磁场下GaAs/AIGaAs超晶格子带结构[J]物理学报.1990,(09)
[4]范卫军,夏建白.电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构[J]半导体学报.1991,(06)
[5]范卫军,夏建白.In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构[J]半导体学报.1992,(03)
[6]范卫军,顾宗权.短周期(Ge)_n(Si)_n应变超晶格电子结构的自洽赝势计算[J]半导体学报.1993,(02)
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