学者知网节

樊中朝

【姓名】	樊中朝
【职称】	副研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;材料科学;
【研究方向】	硅基光波导器件、GaN基电力电子器件及半导体器件加工工艺研究
【发表文献关键词】	多模干涉,刻蚀,光电子器件,刻蚀技术,通道转换,电感耦合等离子体,调制器,刻蚀气体,光开关矩阵,耦合器,光波导,刻蚀速率,单模条件,热光,热氧化,侧壁,转换型,选择比,绝缘衬底,Ⅲ-Ⅴ族化合物,腔室,...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
0/40	15	24	2	250	7328

中国期刊全文数据库 共找到26篇

[1]李迪;贾利芳;樊中朝;程哲;王晓东;杨富华;何志;.The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode[J]Chinese Physics Letters.2015,(06)

[3]刘兴昉;闫果果;桑玲;郑柳;钮应喜;王嘉铭;张峰;杨霏;杨香;樊中朝;孙国胜;曾一平;温家良;何志;.P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究[J]智能电网.2017,(08)

[4]邓小社;梁亚楠;贾利芳;樊中朝;何志;张韵;张大成;.AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法[J]半导体技术.2016,(09)

[5]李迪;贾利芳;何志;樊中朝;王晓东;杨富华;.GaN基SBD功率器件研究进展[J]微纳电子技术.2014,(05)

[6]贾利芳;樊中朝;颜伟;杨富华;.GaN基HFET电力电子器件的研究[J]微纳电子技术.2012,(11)

[7]郑柳;张峰;刘胜北;董林;刘兴昉;樊中朝;刘斌;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;何志;杨富华;.High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions[J]Chinese Physics B.2013,(09)

[8]潘岭峰;李琪;伊晓燕;樊中朝;王良臣;王军喜;.低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率[J]微纳电子技术.2011,(05)

[9]胡应涛;肖希;李智勇;李运涛;樊中朝;韩伟华;俞育德;余金中;.A large bandwidth photonic delay line using passive cascaded silicon-on-insulator microring resonators[J]Chinese Physics B.2011,(07)

[10]周亮;李智勇;胡应涛;熊康;樊中朝;韩伟华;俞育德;余金中;.CMOS compatible highly efficient grating couplers with a stair-step blaze profile[J]Chinese Physics B.2011,(07)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]李继军;赵春旺;邢永明;侯小虎;樊中朝;王颖;.单晶硅裂纹扩展过程的SEM原位观察及裂纹尖端亚微米尺度变形场测定[A].第十三届全国实验力学学术会议论文摘要集.2012-07-01

承担国家科研项目 共找到1个

[1]樊中朝;.亚波长表面等离子体激元金属波导与SOI波导集成研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 24万元.2007-03-31.资助文献数 0 篇