董清云
【姓名】 董清云
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单醚,阈值电压,MOS管,电子回旋共振(ECR),理论修正,PMOS,化学汽相沉积,共振吸收,P-CVD,NMOS,层应力,沟道,膜应力,X光,Si_3N_4,饱和电流,测试研究,长沟道,X射线,沟道...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]董清云,杨之勇.MOS管阈值电压的理论修正[J]半导体技术.1983,(03)
[2]董清云,杨之勇,眭秀楣.一种新X光掩模—单醚PPQ掩模的研制[J]微细加工技术.1984,(01)
[3]周邦伟,吴庭棣,甄汉生,吴锦发,董清云.MP-CVD-Si_3N_4膜应力测试研究[J]清华大学学报(自然科学版).1987,(04)
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