董建荣
【姓名】 董建荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaInP,气相外延,外延层,MOVPE,GaSb,金属有机物,量子阱,AlGaAs,带隙,超晶格,材料生长,MOCVD,GaAs,Ⅴ／Ⅲ比,TMAl,TMGa,金属有机,有序畴,载流子浓度,双晶衍射...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]陆大成，汪度，刘祥林，王晓晖，董建荣.国产金属有机化合物TMGa、TMAl、TMIn和TMSb的MOVPE鉴定[J]高技术通讯.1994,(08)
[2]董建荣，刘祥林，陆大成，汪度，王晓晖，王占国.GaInP材料生长及其性质研究[J]半导体学报.1996,(02)
[3]董建荣，刘祥林，陆大成，汪渡，王晓晖，王占国.有序Ga_（0．5）In_（0．5）P光致发光的研究[J]半导体学报.1996,(03)
[4]董建荣，陆大成，汪度，王晓晖，刘祥林，王占国.MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光[J]半导体学报.1996,(04)
[5]董建荣，李晓兵，孙殿照，陆大成，李建平，孔梅影，王占国.MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究[J]半导体学报.1996,(09)
[6]董建荣，刘祥林，陆大成，汪度，王晓晖，王占国.GaInP材料生长及其性质研究[J]光子学报.1996,(01)
[7]刘祥林，陆大成，王晓晖，汪度，董建荣.InP的MOVPE生长[J]光子学报.1996,(02)
[8]王红梅,曾一平,周宏伟,董建荣,潘栋,潘量,孔梅影.InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究[J]半导体学报.1998,(06)
[9]周宏伟,董建荣,王红梅,曾一平,朱占萍,潘量,孔梅影.MBE生长InAs薄膜输运性质的研究[J]半导体学报.1998,(09)
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