戴自忠
【姓名】 戴自忠
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 3C-SiC,常压化学气相生长(APCVD),双晶多功能四圆衍射,孪晶,APCVD,微孪晶,中国科学院,极图,半导体,化学气相生长,C-SiC,双晶,四圆衍射,漂移速率,击穿电场,六角相,研究所,倒易...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]郑新和,渠波,王玉田,戴自忠,杨辉,梁骏吾.Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量[J]中国科学(A辑).2001,(03)
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