崔成烈
【姓名】 崔成烈
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 BCCD,电势,沟道,栅控二极管,埋层,埋沟,栅压,一维模型,数值分析,电荷耦合器件,杂质分布,电势分布,反型,耗尽型,低频,拐点,穿通,杂质浓度,电荷,高频电容,偏置电压,等效电,二极管,全耗尽,同...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]崔成烈.BCCD的一维模型及其数值分析[J]半导体学报.1980,(04)
[2]崔成烈,傅志煌,吴瑞华.高频C-V方法测量埋沟电荷耦合器件的沟道电势[J]半导体学报.1982,(05)
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