仇兰华
【姓名】 仇兰华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 气相外延,外延层,砷化镓,氧化膜,能峰,InGaAsP,生长速率,淀积温度,界面物理,肖特基二极管,质的研究,阳极氧化膜,偏离度,热氧化膜,磷化,界面态密度,电学性质,肖特基,GaAs,阳极氧化,ES...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]吴赛娟,仇兰华,陆大成,于清,王瑞林.砷化镓掺硫气相外延[J]半导体学报.1982,(02)
[2]陈克铭,仇兰华,崔玉德,陈维德,简萍清.磷化铟与氧化膜界面物理性质的研究[J]半导体学报.1982,(03)
[3]陈克铭,仇兰华,陈维德.氧化膜/InGaAsP界面物理性质的研究[J]半导体学报.1983,(01)
[4]陈克铭,仇兰华.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的氧化膜及其界面性质研究的进展[J]物理.1984,(04)
[5]陈克铭,王森,仇兰华,陈维德.GaAs表面化学组分变化对肖特基二极管性能的影响[J]半导体学报.1985,(03)
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