程美乔
【姓名】 程美乔
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化雾,反应离子刻蚀,二次缺陷,氧沉淀,高碳,间隙氧,硅单晶,高氧,混合气,SF_6,吸收带,替代碳,体层,微缺陷,单晶,位错环,方晶石,热诱导,原始氧,体缺陷,金属杂质,热处理过程,主要来源,氧碳含...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张一心,程美乔,张泽华,刘淑琴.高氧高碳硅单晶中的氧碳沉淀及其形成的二次缺陷[J]半导体学报.1984,(01)
[2]张一心,程美乔.硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源[J]半导体学报.1985,(03)
[3]程美乔,傅绍云,李建中.用SF_6-N_2混合气的反应离子刻蚀制作WSi_x微米结构[J]半导体学报.1990,(05)
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