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[1]王志明,邓元明,封松林,吕振东,陈宗圭,王凤莲,徐仲英,郑厚植,高旻,韩培德,段晓峰.自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究[J]半导体学报.1997,(07)
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[2]王志明,吕振东,封松林,赵谦,李树英,吉秀江,陈宗圭,徐仲英,郑厚植.不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响[J]半导体学报.1997,(09)
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[3]王志明,吕振东,封松林,赵谦,李树英,吉秀江,陈宗圭,徐仲英,郑厚植.自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应[J]红外与毫米波学报.1997,(06)
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[4]陈宗圭.扩散型硅压阻器件[J]电子技术应用.1975,(05)
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[5]孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺.分子束外延GaAs单晶薄膜[J]稀有金属.1984,(06)
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[6]孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺.分子束外延砷化镓单晶薄膜[J]半导体学报.1984,(02)
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[7]陈宗圭,梁基本,孙殿照,黄运衡,孔梅影.分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结[J]半导体学报.1984,(06)
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[8]钟战天,陈宗圭,邢益荣,孙殿照,沈光地.MBE AI/GaAs界面反应和真空热处理效应[J]半导体学报.1986,(02)
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[9]徐仲英,许继宗,李玉璋,郑宝真,徐俊英,庄蔚华,陈宗圭.200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性[J]半导体学报.1986,(03)
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[10]赵学恕,李国华,韩和相,汪兆平,陈宗圭,孙殿照,孔梅影,唐汝明,王丽君.Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的流体静压光荧光研究[J]半导体学报.1986,(05)
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