陈维德
【姓名】 陈维德
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 掺稀土半导体发光
【发表文献关键词】 键构型,富硅氧化硅,发光,快速热退火,Er3+,SiOx,GaN,微结构,氧含量,光致发光,铒,a-Si,非晶硅,氢等离子体处理,nc-Si,非晶,氢化,薄膜微结构,硅氧,键伸展,表面物理,硅基材料,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到42篇
[1]宋淑芳;陈维德;许振嘉;徐叙;.掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究[J]物理学报.2006,(03)
[2]张春光;卞留芳;陈维德;.掺铕GaN薄膜的Raman散射研究[J]中国稀土学报.2006,(03)
[3]卞留芳;张春光;陈维德;许振嘉;屈玉华;刁宏伟;.掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性[J]中国稀土学报.2006,(04)
[4]宋淑芳;陈维德;许振嘉;徐叙瑢;.掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究[J]物理学报.2007,(03)
[5]陈长勇,陈维德,王永谦,宋淑芳,许振嘉.掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响[J]物理学报.2003,(03)
[6]宋淑芳,周生强,陈维德,朱建军,陈长勇,许振嘉.掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究[J]物理学报.2003,(10)
[7]宋淑芳,陈维德,张春光,卞留芳,许振嘉.掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光[J]发光学报.2005,(04)
[8]陈维德,梁建军,王永谦.掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构[J]半导体学报.2000,(10)
[9]梁建军,王永谦,陈维德,王占国,常勇.氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用[J]发光学报.2000,(03)
[10]梁建军,王永谦,陈维德,王占国,常勇.掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究[J]物理学报.2000,(07)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]卞留芳;陈维德;.铒注入GaN的绿光发射[A].第11届全国发光学学术会议论文摘要集.2007-08-01
[2]卞留芳;陈维德;.铒注入GaN的缺陷研究[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]陈维德;.一种新型的的平板显示材料(GaN:RE)的研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 7万元.2005-03-31.资助文献数 3 篇
[2]陈维德;.掺铒GaN发光特性的研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 20万元.2001-03-31.资助文献数 4 篇
[3]陈维德;.掺铒SiOx强室温发光的研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 14.2万元.1999-03-31.资助文献数 3 篇
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