陈朗星
【姓名】 陈朗星
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;有机化工;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 敏感膜,ISFET,ISFET传感器,氮化硅,硅膜,LPCVD,氮化,晶体管稳定性,热原,改善技术,敏感特性,离子敏场,不稳定原因,高纯水,氢含量,高氢,磷,治理,细菌内毒素,敏度,膜表面,化学试剂,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈克铭，李国花，陈朗星，朱燕.进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究[J]半导体学报.1994,(06)
[2]闻瑞梅,陈朗星,刘任重.医药用无热原高纯水的制备及检测[J]净水技术.1994,(04)
[3]闻瑞梅,陈朗星,金晓军.InP-H_2-KBH_4体系中磷的热力学分析、检测及治理[J]应用基础与工程科学学报.1994,(04)
[4]闻瑞梅，陈朗星，刘任重.试剂水的制备[J]化学试剂.1995,(01)
[5]闻瑞梅，陈朗星，刘任重.亚微米电路用高纯水中细菌内毒素的控制[J]水处理技术.1995,(04)
[6]闻瑞梅，陈朗星，刘任重.生物学和医学用高纯水[J]中华预防医学杂志.1995,(06)
[7]陈克铭,李国花,吕惠云,陈朗星.LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响[J]半导体学报.1991,(12)
[8]陈克铭,李国花,陈朗星,李夏,朱燕.ISFET传感器不稳定性的起因及其改善技术研究[J]传感技术学报.1993,(04)
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