周伟
【姓名】 周伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子束刻蚀,角分布,沟道技术,溅射,倾斜入射,热退火,TiSi_2,SIMOX,Au合金,SIMOX薄膜,薄膜材料,晶体表面,硅化物,沟道,斜入射,垂直入射,发射角,入射,产额,原子,技术研究,引出栅...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]曹德新,任琮欣,杨洁,周祖尧,周伟,邹世昌.用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤[J]核技术.1986,(03)
[2]王震遐,陶振兰,郑里平,曹德新,邹志宜,周祖尧,周伟.27keV Ar~+斜入射时的Cu-Au合金溅射实验角分布[J]核技术.1988,(04)
[3]潘浩昌,陶振兰,郑里平,曹德新,张衡山,张阿虎,周祖尧,周伟.Ar离子轰击Ag靶的溅射角分布[J]核技术.1988,(05)
[4]林成鲁,周伟,邹世昌,P.L.F.Hemment.SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究[J]半导体学报.1990,(06)
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