郑廷芳
【姓名】 郑廷芳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子束刻蚀,刻蚀速率,氟碳聚合物,氧化硅,选择比,离子能量,束流密度,反应气体,冶金研究,CF_4,刻蚀条件,CF_3I,离子束,角关系,俄歇,掩膜,离子能,束流稳定性,氟碳,全息曝光,
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]傅新定,陈国明,任琮欣,郑廷芳,陈莉芝,方红丽,杨洁.反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究[J]半导体学报.1985,(04)
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