余海生
【姓名】 余海生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 石墨舟,补偿度,电学性质,液相外延,砷化镓材料,外延层,生长层,Al的分配系数,GaSb单晶,水平法,AlGaAs,底表面,反应管,金属有机物气相外延,迁移率,烘烤时间,GaAs,生长条件,拉晶,回熔...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]公延宁,莫金玑,余海生,夏冠群.MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究[J]半导体学报.2000,(02)
[2]施惠英,余海生,李连生,任尧成,江玲娣,孙清,邹元爔.石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质[J]半导体技术.1979,(03)
[3]施惠英,余海生,任尧成,蒋玉兰,孙秋霞,胡建.LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响[J]稀有金属.1985,(01)
[4]余海生,蒋玉兰,胡建,廖丽英.水平法生长GaSb单晶的研究[J]固体电子学研究与进展.1991,(02)
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