陶卫
【姓名】 陶卫
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 超导薄膜,衬底温度,MOCVD,临界电,YBCO,化学气相淀积,流密度,原位生长,高温超导,YBCO膜,角度效应,SrTiO_3,c轴取向,无规取向,YBCO薄膜,突出物,显微结构,磁通线,钉扎,织构...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]陶卫,章熙康,王蓉,白国仁.衬底温度对化学气相淀积原位生长YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜的影响[J]低温物理学报.1991,(06)
[2]张宏,陶卫,吴鸿,胡素辉.c轴取向MOCVD-YBCO膜临界电流密度的角度效应[J]低温物理学报.1992,(05)
[3]朱健,陶卫,施天生,温树林.MoCVD法生长的YBCO/SrTiO_3超导薄膜的显微结构和缺陷[J]无机材料学报.1992,(04)
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