沈宗雍
【姓名】 沈宗雍
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非晶硅薄膜,传导性质,激光再结晶,晶化,SOI材料,多晶硅,预热温度,再结晶,CMOS/SOI器件,微晶薄膜,衍射谱,多晶硅薄膜,Ar~+激光,衬底温度,光电导,平均晶粒大小,激光功率,非晶,微晶,薄...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]何宇亮,沈宗雍,颜永红.G.D.非晶硅薄膜的晶化特性[J]科学通报.1982,(17)
[2]沈宗雍,吴汝麟,何宇亮.GD Si:H薄膜的结构和电传导性质[J]半导体学报.1983,(03)
[3]邹世昌;沈宗雍;林成鲁;倪如山;林梓鑫;姚良骐;朱桂枫;.SiO_2绝缘衬底上多晶硅的Ar~+激光再结晶[J]电子学报.1983,(05)
[4]林成鲁,沈宗雍,方芳,林梓鑫,邹世昌.多晶硅薄膜的Ar~+激光再结晶[J]中国激光.1985,(12)
[5]林成鲁,沈宗雍,邹世昌.衬底预热对激光再结晶SOI材料的影响[J]微细加工技术.1985,(01)
[6]林成鲁,沈宗雍,邹世昌.绝缘层上多晶硅薄膜的激光再结晶[J]人工晶体.1985,(Z1)
[7]沈宗雍,林成鲁,方芳,邹世昌.激光再结晶CMOS/SOI器件[J]科学通报.1985,(16)
[8]方芳,林成鲁,沈宗雍,邹世昌.激光再结晶和氢退火对多晶硅电学性质的影响[J]电子科学学刊.1986,(01)
[9]沈宗雍,林成鲁,邹世昌,薛自.Ar~+激光再结晶多晶硅薄膜制备CMOS/SOI器件[J]电子学报.1986,(02)
[10]林成鲁,邹世昌,沈宗雍.绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法[J]物理.1989,(08)
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