邵永富
【姓名】 邵永富
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs异质结构,载流子浓度,包封退火,电化学C-V,电化学研究,太阳电池材料,测量半导体,注入层,平带电势,浓度分布,半绝缘,掺C,太阳电池,电解液,双栅,GaAs,异质结,异质,MESFET,V法...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]周炳林,汪乐,邵永富,陈启屿.砷化镓中深能级陷阱的测量[J]物理学报.1979,(03)
[2]陈自姚,邵永富,彭瑞伍.电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数[J]稀有金属.1981,(05)
[3]陈自姚,邵永富,梁琦,彭瑞伍.GaInAsP双异质结材料的特性测量[J]半导体光电.1981,(02)
[4]邵永富,陈自姚,彭瑞伍.电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布[J]半导体学报.1982,(03)
[5]陈自姚,邵永富,彭瑞伍.GaAs异质结构材料的电化学研究[J]科学通报.1982,(02)
[6]邵永富;陈自姚;彭瑞伍;.电化学技术在Ⅲ—V族半导体材料特性测量中的应用[J]上海金属.有色分册.1982,(02)
[7]邵永富,陈自姚,彭瑞伍.掺Cr半绝缘GaAs材料质量对离子注入层电学性质的影响[J]应用科学学报.1983,(03)
[8]王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐.硅全离子注入的GaAs双栅MESFET[J]应用科学学报.1983,(04)
[9]乔墉,卢建国,罗潮渭,邵永富,王渭源.半绝缘InP注硅的无包封退火[J]半导体学报.1983,(06)
[10]张桂成,邵永富,龚连根.有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响[J]发光与显示.1984,(04)
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