任尧成
【姓名】 任尧成
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 熔盐,石墨舟,电学性质,液相外延,砷化镓材料,电化学研究,生长层,补偿度,外延层,反应管,MOCVD法,迁移率,烘烤时间,调制掺杂,底表面,固相组成,气态源分子束外延,电离杂质浓度,砷化镓,InGaP...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]齐鸣，李爱珍，任尧成，陈建新，张永刚，李存才.气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用[J]功能材料与器件学报.1995,(02)
[2]陈建新,李爱珍,任尧成.赝配InGaAs/InAlAs调制掺杂异质结构的Shubnikov-de Haas振荡[J]物理学报.1998,(05)
[3]施惠英,余海生,李连生,任尧成,江玲娣,孙清,邹元爔.石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质[J]半导体技术.1979,(03)
[4]彭瑞伍;任尧成;.钛在溴化物熔盐中的电化学研究[J]稀有金属.1980,(04)
[5]彭瑞伍,任尧成.钛在溴化物熔盐中的电化学研究[J]科学通报.1982,(06)
[6]施惠英,余海生,任尧成,蒋玉兰,孙秋霞,胡建.LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响[J]稀有金属.1985,(01)
[7]陆凤贞,丁永庆,王嘉宽,彭瑞伍,任尧成,涂嘉浩,张锡卿.高纯三乙基铝和三乙基镓的研究[J]化学世界.1986,(07)
[8]韦光宇,彭瑞伍,任尧成,丁永庆.MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究[J]稀有金属.1992,(06)
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