|
[1]谢中应,涂有模,乔墉,林成鲁.离子注入在金属材料中的应用及分析[J]机械工程材料.1981,(05)
|
|
[2]王渭源,乔墉,林成鲁,罗潮渭,周永泉.掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入[J]物理学报.1982,(01)
|
|
[3]陈新之,孙体忠,乔墉.GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察[J]半导体学报.1982,(02)
|
|
[4]周继程,乔墉,孙义林,沈德新,徐晨梅.磷砷化镓中氮和氧引起的深能级[J]应用科学学报.1983,(04)
|
|
[5]王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐.硅全离子注入的GaAs双栅MESFET[J]应用科学学报.1983,(04)
|
|
[6]乔墉,卢建国,罗潮渭,邵永富,王渭源.半绝缘InP注硅的无包封退火[J]半导体学报.1983,(06)
|
|
[7]周继程,沈德新,乔墉,徐晨梅,翁渝民.发可见光的掺氮砷化镓[J]应用科学学报.1984,(03)
|
|
[8]王立萱,乔墉,曾训一,刘联璠,周慰囡,胡妙君.小泡径石榴石磁泡材料离子注入层的内转换电子穆斯堡尔谱研究[J]核技术.1984,(04)
|
|
[9]王渭源,夏冠群,卢建国,邵永富,乔墉.掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究[J]物理学报.1985,(03)
|
|
[10]罗朝渭,乔墉,陈庆贵,蔡希介,史日华.Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量[J]固体电子学研究与进展.1986,(01)
|
|
更多
|