|
[1]胡国华,陈光德,齐鸣,李爱珍,林景瑜,江红星.GaN受激喇曼散射谱研究[J]西安交通大学学报.2000,(10)
|
|
[2]张永刚,陈建新,陈意桥,齐鸣,李爱珍.1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
|
|
[3]孙一军,李爱珍,齐鸣.立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜[J]半导体学报.2001,(03)
|
|
[4]苑进社,陈光德,齐鸣,李爱珍,徐卓.MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析(英文)[J]发光学报.2001,(S1)
|
|
[5]苑进社,陈光德,齐鸣,李爱珍,徐卓.分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究[J]物理学报.2001,(12)
|
|
[6]魏茂林,齐鸣,李爱珍.横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理[J]功能材料与器件学报.2001,(02)
|
|
[7]魏茂林,齐鸣,孙一军,李爱珍.GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究[J]功能材料与器件学报.2002,(01)
|
|
[8]李伟,赵智彪,郑燕兰,李存才,杨全魁,胡建,齐鸣,李爱珍.RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究[J]功能材料与器件学报.1999,(03)
|
|
[9]齐鸣，李爱珍.突变异质结双极晶体管中的复合效应与电流传输[J]固体电子学研究与进展.1995,(03)
|
|
[10]齐鸣，李爱珍，任尧成，陈建新，张永刚，李存才.气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用[J]功能材料与器件学报.1995,(02)
|
|
更多
|