闵惠芳
【姓名】 闵惠芳
【职称】
【研究领域】 电力工业;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,电池效率,高效太阳电池,x值,掺镁,GaAs太阳电池,少子扩散长度,E法,AlGaAs/GaAs,熔液,若干问题探讨,AIGaAs,材料质量,晶格失配,外延生长,掺Mg量,窗口层,溶解度,测...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]许郁苍,杨倩志,王振英,王兴达,闵惠芳.LPE法生长掺镁Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs高效太阳电池材料[J]太阳能学报.1982,(03)
[2]杨倩志,管丽民,闵惠芳,王振英,王兴达.提高Ga_(1-x)Al_x As-GaAs太阳电池材料质量的若干问题探讨[J]太阳能学报.1986,(02)
[3]陈朝,杨倩志,闵惠芳,王振英,王兴达.P-GaAs层少子扩散长度对AlGaAs/GaAs太阳电池效率的影响[J]厦门大学学报(自然科学版).1986,(03)
[4]闵惠芳,杨倩志,王振英,王兴达,陈朝.Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率[J]太阳能学报.1987,(03)
[5]陈朝,沈顗华,闵惠芳,王振英,王兴达,杨倩忠.n/n~+GaAs LPE层中L_P-N_D关系的测量和分析[J]厦门大学学报(自然科学版).1987,(03)
[6]闵惠芳,钟金权,王振英,王加宽,张忠卫.Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池[J]太阳能学报.1990,(02)
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