刘汝萍
【姓名】 刘汝萍
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体器件与微电子技术研究
【发表文献关键词】 背栅效应,阈值电压,GaAs IC,阈值电压均匀性,背栅,MESFET,PSPICE模拟,均匀性,噪声容限,GaAs,隔离,金属-肖特基势垒场效应晶体管,离子注入,计算机模拟分析,工艺制备,自隔离,...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申.半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J]半导体学报.2000,(01)
[2]刘汝萍,夏冠群,赵建龙,吴剑萍,詹琰.不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究[J]固体电子学研究与进展.2001,(04)
[3]李传海,毛友德,丁勇,刘汝萍,夏冠群.不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究[J]半导体情报.2001,(01)
[4]刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰.背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J]半导体学报.1999,(12)
[5]吴剑萍,夏冠群,赵建龙,刘汝萍.GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析[J]电子学报.1999,(05)
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