李传海
【姓名】 李传海
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 旁栅阈值电压,阈值电压,MESFET,旁栅效应,自动测试系统,GaAs,砷化镓,均匀性,光敏效应,GaAs单晶,源漏电压,探针台,IDSS,沟道,MESFET器件,栅压,E－MESFET,耗尽型,探针...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]詹琰,夏冠群,赵福川,李传海,朱朝嵩.MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
[2]胡志高,朱敏,李传海.GaAs单晶阈值电压自动测试系统的研究[J]半导体技术.2001,(11)
[3]朱朝嵩,夏冠群,李传海,詹琰.砷化镓阈值电压自动测试系统的研制[J]功能材料与器件学报.2001,(04)
[4]朱朝嵩,夏冠群,李传海,詹琰.光照对阈值电压均匀性的影响[J]半导体学报.2002,(02)
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