郝幼申
【姓名】 郝幼申
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背栅效应,MESFET,背栅,GaAs,自隔离,离子注入,半绝缘,工艺制备,隔离工艺,半绝缘衬底,材料制备,栅电极,阈值电压,欧姆接触,负偏压,电路性能,漏电流,冶金研究,器件特性,衬底材料,
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申.半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J]半导体学报.2000,(01)
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