冯培均
【姓名】 冯培均
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAsP/InP,同质结,InGaAsP,单模光纤,高效率,掺杂剂,冶金研究,N型,限制层,四次群,固相组分,脊型结构,无中继,有源区,入纤,发射波长,掺杂浓度,次液,发光二极管,外延层,
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]郭康瑾,陈启玙,徐少华,陈瑞璋,张晓平,肖德元,朱黎明,胡道珊,冯培均.高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究[J]发光学报.1992,(02)
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