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[1]方子韦,林成鲁,邹世昌.磷分子离子(P_2~+)注入硅的损伤行为[J]物理学报.1988,(09)
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[2]俞跃辉,林成鲁,张顺开,方子韦,邹世昌.离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究[J]物理学报.1989,(12)
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[3]林成鲁,方子韦,邹世昌.硅中注As_2~+和As~+引起损伤的比较[J]真空科学与技术.1989,(05)
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[4]林成鲁,方子韦,邹世昌.低能As_2~+注入与快速退火形成n~+—p超浅结的研究[J]微电子学与计算机.1989,(10)
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[5]方子韦,林成鲁,杨根庆,李晓勤,邹世昌,R.G.ELLIMAN.P_2~+和P~+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究[J]物理学报.1990,(07)
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[6]林成鲁,方子韦,邢昆山,倪如山,邹世昌.As_2~+注入硅的辐射损伤和退火行为研究[J]应用科学学报.1990,(01)
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[7]方子韦,俞跃辉,林成鲁,邹世昌.离子注入硅形成绝缘埋层的红外反射谱分析[J]半导体学报.1990,(04)
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[8]林成鲁,俞跃辉,方子韦,张顺开,倪如山,邹世昌,李金华,P.L.F.Hemment.SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1990,(09)
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[9]方子韦,俞跃辉,林成鲁,邹世昌.离子注入SOI材料的红外吸收谱分析[J]红外与毫米波学报.1991,(02)
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[10]林成鲁,杨根庆,方子韦,李晓勤,邹世昌,J.Gyulai,R.G.Elliman.硅中分子离子注入的损伤增强效应[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1992,(07)
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