熊兴民
【姓名】 熊兴民
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 位错浓度,形变,正电子湮没技术,正电子,捕获速率,函数拟合,退火时间,正电子湮没寿命谱,退火温度,多普勒加宽,双空位,寿命,正电子湮灭,参考样品,正电子捕获,中子辐照,s参数,区熔,位错,正电子湮没,...
【工作单位】 中国科学院高能物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院高能物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]熊兴民,杨巨华,叶美玲,张小莉,施良和.嵌段共聚物胶束形成的正电子湮没研究[J]科学通报.1994,(23)
[2]熊兴民,杨巨华,叶美玲,张迎玖,施良和.嵌段共聚物溶液胶束温度行为的正电子湮没研究[J]物理化学学报.1995,(06)
[3]曹玔,王蕴玉,熊兴民,熊良钺,姜健.用正电子湮没技术研究形变铁的恢复[J]物理学报.1982,(01)
[4]熊良钺,姜键,曹玔,王蕴玉,熊兴民.用正电子湮灭技术研究位错浓度随退火时间的变化[J]核技术.1982,(06)
[5]熊兴民.正电子湮没寿命谱指数函数拟合程序[J]核技术.1983,(05)
[6]熊兴民.中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究[J]半导体学报.1986,(01)
[7]熊兴民;.GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究[J]高能物理与核物理.1986,(04)
[8]熊兴民.中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应[J]核技术.1992,(03)
[9]熊兴民.氢和温度对质子辐照硅的正电子捕获的影响[J]物理学报.1992,(01)
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