陈长清
【姓名】 陈长清
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 半导体物理与微电子领域研究
【发表文献关键词】 埋层,光学拾音器,SrBi_2Ta_2O_9,铁电薄膜,β-SiC,C~+注入,光学性质,全息光学元件,注入剂量,单片集成,混合集成,俄歇,伺服,氮气氛,退火工艺,XTEM,晶粒,吸收峰,功能材料,吸...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]陈长清,杨立新,严金龙,陈学良.C~+注入硅形成β-SiC埋层研究[J]半导体学报.1997,(02)
[2]杨平雄,郑立荣,陈长清,金世荣,林成鲁.无疲劳SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的光学性质研究[J]科学通报.1997,(11)
[3]杨立新,陈长清,杨易,陈学良,沈德芳,陈国明.光盘光学拾音器技术的现状与发展[J]半导体光电.1997,(06)
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