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中国期刊全文数据库 共找到56篇

[1]黄辉祥;毕大炜;彭超;张彦伟;张正选;.The Enhanced Role of Shallow-Trench Isolation in Ionizing Radiation Damage of Narrow Width Devices in 0.2 μm Partially-Depleted Silicon-on-Insulator Technology[J]Chinese Physics Letters.2013,(08)

[2]彭超;张正选;胡志远;黄辉祥;宁冰旭;毕大炜;.Enhanced Radiation Sensitivity in Short-Channel Partially Depleted Silicon-on-Insulator n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors[J]Chinese Physics Letters.2013,(09)

[3]刘春媚;杨旭;朱慧龙;胡志远;毕大炜;张正选;.对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识（英文）[J]原子能科学技术.2021,(12)

[4]解鑫;毕大伟;胡志远;朱慧龙;张梦映;张正选;邹世昌;.Influence of characteristics' measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET[J]Chinese Physics B.2018,(12)

[5]张梦映;胡志远;毕大炜;戴丽华;张正选;.Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation[J]Chinese Physics B.2018,(02)

[6]戴丽华;毕大炜;张正选;解鑫;胡志远;黄辉祥;邹世昌;.Metastable Electron Traps in Modified Silicon-on-Insulator Wafer[J]Chinese Physics Letters.2018,(05)

[7]戴丽华;毕大炜;胡志远;刘小年;张梦映;张正选;邹世昌;.Research on the radiation hardened SOI devices with single-step Si ion implantation[J]Chinese Physics B.2018,(04)

[8]樊双;胡志远;张正选;宁冰旭;毕大炜;戴丽华;张梦映;张乐情;.Total ionizing dose induced single transistor latchup in 130-nm PDSOI input/output NMOSFETs[J]Chinese Physics B.2017,(03)

[9]张正选;邹世昌;.SOI材料和器件抗辐射加固技术[J]科学通报.2017,(10)

[10]张梦映;胡志远;张正选;樊双;戴丽华;刘小年;宋雷;.Total Ionizing Dose Response of Different Length Devices in 0.13 μm Partially Depleted Silicon-on-Insulator Technology[J]Chinese Physics Letters.2017,(08)

中国重要会议全文数据库 共找到12篇

[1]解鑫;朱慧龙;毕大伟;胡志远;张正选;邹世昌;.埋氧层非均匀陷阱电荷分布导致的部分全耗尽现象的TCAD仿真验证[A].中国核科学技术进展报告（第六卷）——中国核学会2019年学术年会论文集第8册（辐射研究与应用分卷、核技术工业应用分卷、辐照效应分卷、核电子学与核探测技术分卷、核医学分卷、放射性药物分卷）.2019-08-20

[2]毕大炜;张正选;张帅;俞文杰;陈明;.用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[3]陈明;张正选;毕大炜;张帅;.硅离子注入进行二氧化硅总剂量加固机理[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[4]王茹;张正选;俞文杰;田浩;毕大炜;张帅;陈明;.注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[5]俞文杰;张正选;田浩;王茹;毕大伟;陈明;张帅;刘张李;.SOI器件总剂量辐射效应研究进展[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[6]张帅;张正选;毕大炜;陈明;.注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[7]刘张李;张正选;毕大炜;张帅;田浩;俞文杰;陈明;王茹;.浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[8]田浩;张正选;刘张李;俞文杰;王茹;张帅;毕大炜;陈明;.应用于抗辐照SRAM的地址转换监控电路的设计[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[9]王茹;张正选;俞文杰;贺威;田浩;陈明;.总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）.2007-11-01

[10]武爱民;陈静;张恩霞;杨慧;张正选;王曦;.注硅工艺对UMBOND SOI材料抗辐照性能的影响[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）.2007-11-01

【姓名】	张正选
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;计算机硬件技术;
【研究方向】	SOI材料、器件及电路抗辐射加固研究
【发表文献关键词】	SIMON,注氮工艺,氧氮,SOI材料,总剂量辐射效应,离子注入,注氧隔离,抗辐照,绝缘体上硅,X射线,绝缘体上硅(SOI),阈值电压漂移,总剂量辐照效应,辐照偏置,传输门,环栅结构,H型栅结构,部分...
【工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】	上海

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