李存才
【姓名】 李存才
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 HVPE,InGaP/GaAs,GaN,气态源分子束外延,InGaP,X射线双晶衍射,GSMBE,流体动力学,GaN生长,均匀性,大面积均匀,反应室,外延层,上海微系统与信息技术研究所,流动力学,底托...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]孟兆祥,于广辉,叶好华,雷本亮,李存才,齐鸣,李爱珍.水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长[J]功能材料与器件学报.2003,(04)
[2]李爱珍,李华,李存才,胡建,唐雄心,齐鸣.GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究[J]稀有金属.2004,(03)
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