余庆选
【姓名】 余庆选
【职称】 副教授;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 宽禁带半导体材料薄膜的制备及其性质的研究
【发表文献关键词】 结构,CN膜,高频溅射,掺杂行为,GaInP,生长,脉冲激光淀积,SiH_4,MgF2薄膜,氮化碳薄膜,SiCN薄膜,HFCVD,MOCVD,孪晶,硼掺杂,金刚石薄膜,薄膜光学,透过率,α-Si3N4...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 安徽合肥
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中国期刊全文数据库    共找到11篇
[1]周朝迅;廖源;周献亮;余庆选;董振超;.不同衬底对单层二硫化钼光学性质的影响研究[J]低温物理学报.2015,(06)
[2]李志;祝巍;余庆选;杨乾辉;邵智斌;楼立人;.银单晶纳米线的气相合成及其表面增强拉曼散射特性(英文)[J]中国科学技术大学学报.2014,(02)
[3]蒋振龙;黄晓桦;丁俊峰;余庆选;李晓光;.La_(2/3/)Sr_(1/3)MnO_3单晶的低场磁热效应[J]低温物理学报.2010,(06)
[4]谢学武;廖源;张五堂;余庆选;傅竹西;.退火过程对c轴择优取向的ZnO薄膜光学性质的影响[J]量子电子学报.2010,(02)
[5]金运姜;余庆选;刘书见;廖源;.ZnO：Ag薄膜的结构对其紫外发光增强的研究[J]量子电子学报.2008,(01)
[6]张吉明;廖源;张五堂;余庆选;傅竹西;.PLD方法在CVD金刚石膜上生长ZnO薄膜及其特性研究[J]量子电子学报.2008,(02)
[7]于琳,韩新海,王冠中,揭建胜,廖源,余庆选,方容川.脉冲激光淀积MgF_2薄膜的制备及性质研究[J]量子电子学报.2004,(01)
[8]牛晓滨,廖源,常超,余庆选,方容川.热丝CVD生长SiCN薄膜的研究[J]无机材料学报.2004,(02)
[9]刘卫平,余庆选,田宇全,廖源,王冠中,方容川.硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响[J]无机材料学报.2005,(05)
[10]余庆选,励翠云,彭瑞伍.GaInP气相外延中Si的掺杂行为及发光二极管材料的制备[J]固体电子学研究与进展.1997,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]李晓光;章根强;汪伟;余庆选;.热电纳米线及其阵列的调制生长和物性研究[A].中国化学会第27届学术年会第04分会场摘要集.2010-06-20
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]余庆选;.p型氮化镓与金刚石异质结构及其欧姆接触特性研究[A].中国科学技术大学;.项目经费 21万元.2001-03-31.资助文献数 2 篇
[2]余庆选.ZnO基稀磁半导体薄膜及其ZnO/GaN异质结自旋LED研究[A].中国科学技术大学.项目经费 36万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇
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