叶邦角
【姓名】 叶邦角
【职称】 教授;
【研究领域】 物理学;核科学技术;材料科学;
【研究方向】 核物理与核技术应用的研究
【发表文献关键词】 复合导电材料,NE213闪烁体,自由体积,渗流效应,正电子偶素,寿命动量关联,结晶度,正电子谱学,n-g鉴别,d+D核反应,增电子湮灭,正电子,渗流阈值,缺陷性质,LSMO,外延薄膜,分析与思考,寿命...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 合肥
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中国期刊全文数据库    共找到84篇
[1]冯焱;杜海燕;鲍煜;李强;李样;刘建党;莫晓茵;宁常军;潘子文;王鹏程;叶邦角;.基于磁镜的正电子慢化实验研究[J]核技术.2026,(01)
[2]韩小溪;邓力;叶邦角;.量子蒙特卡罗方法计算金刚石与单晶硅中的单空位正电子湮没寿命[J]计算物理.2026,(03)
[3]程慧茹;李钰环;潘子文;刘建党;叶邦角;.Upconversion photoluminescence of Er-doped Bi_4Ti_3O_(12) ceramics enhanced by vacancy clusters revealed by positron annihilation spectroscopy[J]Chinese Physics B.2024,(12)
[4]叶润;叶邦角;.正电子湮没谱学研究氧离子注入AlN薄膜中缺陷对磁性影响(英文)[J]原子核物理评论.2024,(01)
[5]石小兔;张庆礼;孙贵花;罗建乔;窦仁勤;王小飞;高进云;张德明;刘建党;叶邦角;.提拉法下Yb:YAG单晶缺陷的正电子湮没研究[J]无机材料学报.2023,(03)
[6]潘智康;邓力;潘子文;原钺;张宏俊;叶邦角;.F–μ bond length and μSR depolarization spectrum calculation for fluoride using two-component density functional theory[J]Chinese Physics B.2023,(08)
[7]李重阳;李梦德;汪美;李涛;刘建党;叶邦角;陈志权;.ZIFs纳米晶体中电子偶素的自旋转换[J]物理学报.2022,(15)
[8]许红霞;林俊;朱智勇;刘建党;谷冰川;叶邦角;.燃料元件基体石墨Xe离子辐照缺陷的慢正电子束研究[J]核技术.2022,(10)
[9]孟飞;潘子文;叶邦角;.基于Geant4的慢正电子束注入金属材料的模拟研究[J]中国科学技术大学学报.2020,(02)
[10]叶邦角;李样;周志浩;.缪子成像及元素成分分析[J]物理.2021,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到32篇
[1]谷冰川;刘建党;孔伟;翁惠民;叶邦角;.基于放射源的脉冲慢正电子束装置的研制[A].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014-07-09
[2]成斌;刘建党;叶邦角;.高效率的数字化正电子谱仪[A].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014-07-09
[3]黄世娟;张文帅;刘建党;张杰;李骏;叶邦角;.完美晶体中正电子体寿命计算方法的分析与比较[A].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014-07-09
[4]刘建党;叶邦角;.精细正电子湮没参数获取的研究[A].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014-07-09
[5]樊少娟;张杰;肖翀;李周;李强;叶邦角;.正电子湮没谱研究缺陷在NiS相变中的变化[A].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014-07-09
[6]徐菊萍;李强;刘建党;叶邦角;.Ga空位引起N离子注入GaN薄膜产生室温铁磁性[A].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014-07-09
[7]李强;王玉银;樊乐乐;樊少娟;刘建党;叶邦角;.Co或Mn掺杂ZnO薄膜的结构与磁性之间关系[A].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014-07-09
[8]张文帅;叶邦角;.铝中氦泡的动力学和正电子寿命谱计算[A].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014-07-09
[9]楼捷;叶邦角;翁惠民;韩荣典;杜淮江;.ZnO/M/ZnO金属介质多层膜的慢正电子研究[A].第十届全国正电子湮没谱学会议论文集.2009-11-01
[10]成斌;孔伟;翁惠民;韩荣典;叶邦角;.数字化正电子寿命谱仪中的信号处理[A].第十届全国正电子湮没谱学会议论文集.2009-11-01
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]叶邦角;.用正电子湮灭技术研究低介电常数材料的微结构[A].中国科学技术大学;.项目经费 38万元.2006-03-27.资助文献数 2
[2]叶邦角;.用双多普勒关联技术研究纳米颗粒/介孔复合材料的特性[A].中国科学技术大学;.项目经费 32万元.2004-03-31.资助文献数 3
[3]叶邦角;.慢正电子束技术发展及薄膜材料基础研究[A].中国科学技术大学;.项目经费 220万元.2008-03-20.资助文献数 0
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