王戎兴
【姓名】 王戎兴
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 焦平面器件,温度关系分析,碲镉汞,能级特性,HgCdTe,长波,离子注,深能级,面阵,俘获截面,互连工艺,PN结,上海技术物理研究所,陷阱能级,集成工艺,激活能,陷阱,价带,发射率,温度变化,导纳谱,...
【工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】
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[1]王戎兴.32×32碲镉汞长波焦平面器件的研制[J]红外与激光技术.1995,(03)
[2]褚君浩,王戎兴,汤定元.非抛物型能带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度[J]红外研究.1983,(04)
[3]童斐明,杨秀珍,王戎兴.由电容温度关系分析HgCdTe深能级特性[J]半导体学报.1984,(03)
[4]林和,杨秀珍,王戎兴,汤定元.窄带HgCdTe PN结的深能级隧道电容[J]红外研究.1984,(04)
[5]徐国琴,张静芬,华新德,王戎兴.红外探测器的高真空烘烤与残气质谱分析[J]红外研究(A辑).1986,(05)
[6]王戎兴;.碲镉汞红外焦平面器件的铟柱生长技术的研究[J]红外与激光技术.1990,(01)
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