凌仲赓
【姓名】 凌仲赓
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 结电容,载流子寿命,锁相检测,锁相放大器,寿命,光调制,低阻,红外吸收,技术测量,复合寿命,温度关系,半导体器件,结电阻,复合中心,碰撞复合,施主浓度,面分布,探针,组分,束功率,并联电阻,参考信号,...
【工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】
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[1]凌仲赓.Pb_(0.8)Sn_(0.2) Te-PbTe异质结结区附近净施主浓度分布[J]红外研究.1982,(02)
[2]王继元,凌仲赓.用于低阻半导体器件结电容测量的混频-锁相检测技术[J]应用科学学报.1984,(01)
[3]凌仲赓,陆培德.用红外吸收的光调制技术测量Hg_(1-x)Cd_xTe的载流子寿命[J]半导体学报.1984,(02)
[4]凌仲赓.用脉冲恢复技术测量HgCdTe二极管基区少数载流子寿命[J]红外研究.1984,(04)
[5]童斐明,凌仲赓,沈利,顾松龄.PbS红外探测器的光电特性[J]红外研究(A辑).1986,(05)
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