阮耀钟
【姓名】 阮耀钟
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 热电势率,Bi系高温超导体,向异性,Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶,穆斯堡尔谱研究,2223相,Bi系,2201相,导电聚吡咯,2212相,输运性质,中国科学技术大学,变程跳跃,八面体,四极分...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 合肥
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[6]张辉,许勤伦,杨碚芳,付正平,刘如川,李明,阮耀钟.不同退火条件对(Hg,Tl)-1223热电势率的影响[J]低温物理学报.1998,(03)
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[8]阮耀钟.克劳德循环中膨胀机最佳进气温度的计算方法[J]低温物理.1979,(04)
[9]阮耀钟,李贵和,黄桂石,黄伟.低温电容液面计[J]低温物理.1979,(01)
[10]吴柏枚,阮耀钟,王克勤,黄伟.国产常用半导体器件的低温性能[J]低温物理.1981,(01)
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