刘如川
【姓名】 刘如川
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 热电势率,4H-SiC,苯热合成法,紫外光致发光,SiO_xC_yH_z膜,取向膜,退火条件,硅衬底,空穴浓度,国家重点实验室,超导转变温度,高温超导材料,a-Si,表面物理,硅材料,高温超导体,硅纳...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 上海合肥
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[1]李明,傅正平,杨碚芳,程海凌,刘如川,阮耀钟.苯热合成法制备强紫外光致发光a-SiO_xC_yH_z 膜[J]中国科学技术大学学报.1999,(06)
[2]张辉,许勤伦,杨碚芳,付正平,刘如川,李明,阮耀钟.不同退火条件对(Hg,Tl)-1223热电势率的影响[J]低温物理学报.1998,(03)
[3]傅正平,杨碚芳,刘如川,阮耀钟.硅衬底上制备4H-SiC择优取向膜的一种新方法[J]科学通报.1998,(21)
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