胡中波
【姓名】 胡中波
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 太阳电池,二氧化锡薄膜,等离子体增强,化学气相淀积,理论计算,PECVD法,结构设计,半导体层,氧化锡薄膜,淀积温度,结构与性能,理论模型,透射率,半导体材料,方块电阻,缺陷浓度,流量比,电导性,生长...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】
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[1]柴璋,胡中波,杨连贵.PECVD法生长的氧化锡薄膜的结构与性能研究[J]无机材料学报.1987,(03)
[2]柴璋;李碧钦;胡中波;.等离子体化学气相沉积法生长薄膜材料的进展[J]仪表材料.1987,(06)
[3]胡中波,杨连贵,柴璋.新型SIS太阳电池的结构设计及理论计算[J]太阳能学报.1988,(01)
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