彭应国
【姓名】 彭应国
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 缺陷,Znse,超晶格,高分辨透射电镜,ZnSe,应变超晶格,MOCVD生长,高分辨,过渡层,透射电镜,失配,GaAs衬底,GaAs,晶格失配,微孪晶,超晶格膜,位错,晶格缺陷,晶体缺陷,结晶质量,
【工作单位】 中国科学院金属研究所
【曾工作单位】 中国科学院金属研究所;
【所在地域】 沈阳
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/2 2 1 0 1 157
中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]宋士惠,关郑平,范广涵,范希武,彭应国,吴玉琨.用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究[J]发光学报.1994,(01)
[2]孙秀魁,陈文绣,徐坚,范学书,魏文铎,吴玉琨,彭应国.Al超微粒子的组织结构及表面状态[J]金属学报.1992,(05)
更多