刘连元
【姓名】 刘连元
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多晶硅薄膜,高温退火,结晶粒度,剖面分析,生长速率,本物,SICI,电阻率,多晶硅膜,ITO薄膜,大晶粒,生长规律,SnO_2气敏元件,克分子比,硅层,方块电阻,制备和性质,振荡现象,杂质,混合气体,...
【工作单位】 中国科学院长春应用化学研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春应用化学研究所;
【所在地域】
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[1]韩桂林,王玉玲,刘连元,王岚.多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究[J]太阳能学报.1982,(02)
[2]韩桂林,王岚,刘连元,刘雅言.用CVD和高温退火技术制备大晶粒多晶硅薄膜[J]太阳能学报.1982,(04)
[3]韩桂林,王岚,刘连元,刘雅言,单玉臣.多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析[J]半导体技术.1983,(01)
[4]韩桂林,王岚,刘连元.变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响[J]太阳能学报.1983,(03)
[5]刘雅言,韩桂林,王岚,刘连元.ITO薄膜的制备和性质[J]应用化学.1983,(00)
[6]何敬文,刘斌,李培德,姜克斌,刘连元.SnO_2气敏元件常温振荡现象的研究[J]传感器技术.1987,(Z1)
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