路泉
【姓名】 路泉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOSFET,背沟,沟道宽度,固相外延,反应离子刻蚀,实验研究,晶体管,沟道长度,注入工艺,版图设计,材料制备,工艺过程,硼注入,NMOS,寄生,寄生晶体管,蓝宝石,PN结漏电,体硅,无定形化,
【工作单位】 中国航天科技集团西安微电子技术研究所
【曾工作单位】 中国航天科技集团西安微电子技术研究所;
【所在地域】 临潼
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[1]汪淳,路泉,石涌泉.高速六位CMOS/SOS A/D转换器的研制[J]微电子学与计算机.1990,(07)
[2]张兴,石涌泉,路泉,黄敞.抑制SOS MOSFET漏电措施的研究[J]半导体学报.1993,(06)
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