景玉梅
【姓名】 景玉梅
【职称】 研究员;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 布里奇曼生长,腐蚀速率,锑化,回摆曲线,磁阻,Gasb,半磁性,位错密度,InSb,GaSb,蚀坑,半磁性半导体,晶片,晶体,X射线衍射,化学腐蚀,水平法,单晶体,位错,升华法,半导体晶体,单晶生长,...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 长春
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/14 1 3 4 15 879
中国期刊全文数据库    共找到14篇
[1]景玉梅.半磁性半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(0.001≤x≤0.010)光学吸收双稳态开关特性的研究[J]人工晶体学报.2000,(04)
[2]景玉梅,李志明,李菊生,叶如华.CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究[J]液晶与显示.2000,(01)
[3]景玉梅,叶如华,李志明,李菊生.掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究[J]液晶与显示.2000,(03)
[4]凌志华,景玉梅,黄锡珉,马凯.半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe深能级的研究[J]人工晶体学报.1994,(01)
[5]林革,景玉梅,黄锡珉.碲化镉单晶生长和缺陷研究[J]人工晶体.1988,(01)
[6]宣丽,景玉梅,富淑清,林革,张传萍,黄锡珉,温庆祥.THM法生长优质InSb单晶[J]人工晶体.1988,(Z1)
[7]吴光恒,黄锡珉,富淑清,林革,宣丽,景玉梅,张传萍,温庆祥.Gasb单晶的生长[J]人工晶体.1988,(Z1)
[8]富淑清,张传平,吴光恒,林革,黄锡珉,宣丽,景玉梅.GaSb单晶的化学腐蚀[J]人工晶体.1988,(Z1)
[9]富叔青,张传平,吴光恒,黄锡珉,宣丽,景玉梅.GaSb晶片的(111)面化学腐蚀机制[J]人工晶体学报.1990,(03)
[10]吴光恒,黄锡珉,富淑清,马凯,景玉梅,宣丽,张传萍.水平法低位错GaSb单晶生长[J]人工晶体学报.1991,(01)
更多